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Estado da parte | Ativo | |
---|---|---|
Tipo do FET | N-canal | |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) | |
Drene tenso da fonte (Vdss) | 500V | |
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 48A (Tc) | |
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 8mA | |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 270nC @ 10V | |
Vgs (máximo) | ±20V | |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 8400pF @ 25V | |
Característica do FET | - | |
Dissipaço de poder (máxima) | 520W (Tc) | |
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 10V | |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Montando o tipo | Montagem do chassi | |
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-227B | |
Pacote/caso | SOT-227-4, miniBLOC |