Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS

Número de modelo:MRFE6VP6300HR5
Lugar de origem:E.U.A.
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Mosfet LDMOS de MRFE6VP6300HR5 RF 50V (duplo) 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4

 

Estes dispositivos altos da aspereza so projetados para o uso em VSWR alto aplicações móveis industriais (incluindo excitadores do laser e do plasma), da transmisso (análoga e digital), as aeroespaciais e as de rádio/terra. So projetos ímpares da entrada e da saída permitindo a utilizaço larga da escala de frequência, entre 1,8 e 600 megahertz

 

Características

• Entrada ímpar e saída permitindo a utilizaço larga da escala de frequência

• O dispositivo pode ser único usado--Terminado ou em um impulso--Configuraço da traço

• Qualificado até um máximo de uma operaço de 50 VDD

• Caracterizado 30 V a 50 V para escala de poder prolongada

• Apropriado para a aplicaço linear com polarizaço apropriada

• Proteço integrada do ESD

• Maior porta negativa--Escala da tenso da fonte para a operaço melhorada da classe C

• Caracterizado com o equivalente da série grande--Parmetros da impedncia do sinal

 

• RoHS complacente

• NI--780--4 na fita e no carretel. Sufixo R3 = 250 unidades, largura da fita de 56 milímetros, carretel de 13 polegadas. Para opções da fita R5 e do carretel, veja P. 14.

• NI--780S--4 na fita e no carretel. Sufixo R3 = 250 unidades, largura da fita de 32 milímetros, carretel de 13 polegadas. Para opções da fita R5 e do carretel, veja P. 14.

 

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Transistor 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4 de MRFE6VP6300HR5 RF LDMOS

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