watt MRFE6VP5600HR5 do transistor LDMOS 600 do Mosfet de 100mA 230MHz RF

Número de modelo:MRFE6VP5600HR5

Lugar de origem:E.U.A.

Quantidade de ordem mínima:1 parte

Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal

Capacidade da fonte:10000 partes pelo ano

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igt de alta potência Transistor de potência 2n3055 módulo igbt de alta potência

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