Através da microplaqueta de IC do circuito integrado do interruptor do furo, MOSFET do poder do canal de N 110 watts
Número de modelo:STM32F051K6U6
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Termos do pagamento:Western Union, T/T, Paypal
Capacidade da fonte:consulta
Tempo de entrega:2-3 dias de trabalho
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C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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MOSFET 60V 60A 110W do poder do N-canal STP65NF06 (Tc) com a aplicaço do interruptor do furo
Descriço
Este MOSFET do poder é o desenvolvimento o mais atrasado do processo tira-baseado do tamanho de característica de STMicroelectronics “único” ™ original. O transistor resultante mostra a densidade de embalagem extremamente alta para o baixo onresistance, características ásperas da avalancha e etapas menos críticas do alinhamento consequentemente uma reprodutibilidade de fabricaço notável.
| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 60V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Característica do FET | - |
| Dissipaço de poder (máxima) | 110W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C |
| Lista de outros componentes eletrônicos no estoque | ||||
| AD96685BH | DDA | HFCT-5205A | AVAGO | |
| XR2211D | EXAR | GTL2006PW | NXP | |
| LTC3545EUD#TRPBF | LINEAR | PMB9811V1.0 | INFEIEON | |
| CY6264-70SC | CYPRESS | NCP1271BDR2G | EM | |
| AD6634BBCZ | DDA | M62475FP | MITSUBISH | |
| TPS2216DBR | SI | GT8110 | GOODIX | |
| STL3888-MPLH | SENTELI | ATMEGA1281V-8AUR | ATMEL/ADESTO | |
| RF2818TR7 | RFMD | 0466.375NR | LITTELFUSE | |
| MAX6376XR22-T | MÁXIMA | BU4224G-TR | ROHM | |
| HDC1000YPAR | SI | ICS9LPR600CGLF | ICS | |
| TNY275PG | PODER | DC2337J5010AHF | ANAREN | |
| SMP1302-011IF | SKYWORKS | CSD16401Q5 | CICLON | |
| REG103GA-2.7 | SI | K4J52324QC-BC20 | SAMSUNG | |
| MAX333ACAP+ | MÁXIMA | ISQ74X | ISOCOM | |
| STM32F101RCT6 | ST | HA12238F | RENESAS | |
| SI3201-KS | SILICONE | AT91SAM9G20-CU | ATMEL/ADESTO | |
| ISO7242ADWR | SI | SY100EL32VZGTR | MIC | |
| EPC8QC100 | ALTERA | SST39VF3201-70-4C-EKE | SST | |
| EMC2101-ACZL-TR | MICROCHIP | PCM1740E/2K G4 | BB | |
| AD8617ARZ | DDA | MC74HC165ADTR2G | EM | |
| DAP017A | EM | MAX907CPA+ | MÁXIMA | |
Através da microplaqueta de IC do circuito integrado do interruptor do furo, MOSFET do poder do canal de N 110 watts
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