Mosfet de superfície FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 do poder do canal da montagem P - MLP RoHS complacente

Número de modelo:FDMC510P
Lugar de origem:China
Quantidade de ordem mínima:20pcs
Termos do pagamento:Western Union, T/T, Paypal
Capacidade da fonte:consulta
Tempo de entrega:2-3 dias de trabalho
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Montagem 8-MLP da superfície do MOSFET 2.3W 41W do PODER do P-canal 20V de FDMC510P

Descriço geral

Este MOSFET do P-canal é produzido usando o processo avançado de Trench® do poder do semicondutor de Fairchild que foi aperfeiçoado para o RDS (SOBRE), o desempenho e a aspereza de comutaço.

Tipo do FETP-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)20V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C12A (Ta), 18A (Tc)
Conduza a tenso (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre)1.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs8 mOhm @ 12A, 4.5V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @1V @ 250µA
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs116nC @ 4.5V
Vgs (máximo)±8V
Capacidade (Ciss) da entrada (máximo) @ Vds7860pF @ 10V
Característica do FET-
Dissipaço de poder (máxima)2.3W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo da montagemMontagem de superfície

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China Mosfet de superfície FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 do poder do canal da montagem P - MLP RoHS complacente supplier

Mosfet de superfície FDMC510P 20V 2.3W 41W 8 do poder do canal da montagem P - MLP RoHS complacente

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