Substituição RA60H4452M1-101 do transistor do ampère da fase de H2M 2 para o rádio móvel

RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 encenam o ampère. Transistor de poder para o RÁDIO MÓVEL

DESCRIÇO

O RA60H4452M1 é um módulo do amplificador do MOSFET de um RF de 60 watts para os rádios móveis de 12,5 volts que se operam nos 440 - escala 520-MHz. A bateria pode ser conectada diretamente ao dreno dos transistor do MOSFET do realce-modo. Sem a tenso da porta (VGG=0V), somente uma corrente pequena do escapamento flui no dreno e o sinal de saída nominal (Pout=60W) atenua DB até 60. O aumento atual potência de saída e do dreno como a tenso da porta aumenta. O aumento atual potência de saída e do dreno substancialmente com a tenso da porta em torno de 0V (mínimo). O potência de saída nominal torna-se disponível no estado que VGG é 4V (típico) e 5V (máximo). Em VGG=5V, as correntes típicas da porta so o módulo 5mA.This so projetadas para a modulaço no-linear de FM, mas podem igualmente ser usadas para a modulaço linear ajustando a corrente quieta do dreno com a tenso da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada

CARACTERÍSTICAS

1, transistor do MOSFET do Realce-modo (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

2, Pout>60W, ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

3, escala de frequência de faixa larga: 440-520MHz

4, estrutura do protetor do metal que faz as melhorias da radiaço especulativo simples

5, controle IGG=5mA atual da baixa potência (tipo) @ VGG=5V

6, tamanho do módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

7, operaço linear so possíveis ajustando o dreno quieto atual com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.

A eletrônica de Koben foi fundada em 1995 e é ficada situada em Silicon Valley de China, Shenzhen. 

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