45 padrão do IEC do transistor RA45H8994M1-101 do ampère de poder da fase do watt 12.8V 2

Número de modelo:RA45H8994M1-101
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RA45H8994M1-101 896-941MHz 45W 12.8V, 2 encenam o ampère. Transistor do RF para o RÁDIO MÓVEL


DESCRIÇO


O RA45H8994M1 é um módulo do amplificador do MOSFET de um RF de 45 watts para os rádios móveis de 12,8 volts que se operam nos 896 - escala 941-MHz. A bateria pode ser conectada diretamente ao dreno dos transistor do MOSFET do realce-modo. Sem a tenso 1 da porta e a tenso 2 da porta (VGG1=VGG2=0V), somente uma corrente pequena do escapamento flui no dreno e o sinal de saída nominal (Pout=45W) atenua DB até 60. Quando isto é 3.4V fixo, é fornecido tenso 1 da porta, o aumento atual potência de saída e do dreno como a tenso 2 da porta aumenta. O aumento atual potência de saída e do dreno substancialmente com a tenso 2 da porta em torno de 0V (mínimo) sob a circunstncia quando a tenso 1 da porta for mantida em 3.4V. O potência de saída nominal torna-se disponível no estado que VGG2 é 4V (típico) e 5V (máximo). Neste momento, VGG1 tem que ser mantido em 3.4V. Em VGG1=3.4V & em VGG2=5V, as correntes típicas da porta so 0.4mA. Este módulo é projetado para a modulaço no-linear de FM, mas pode igualmente ser usado para a modulaço linear ajustando a corrente quieta do dreno com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.


CARACTERÍSTICAS


1, transistor do MOSFET do Realce-modo (IDD≅0 @ VDD=12.8V, VGG1=VGG2=0V)

2, Pout>45W, ηT>33% @VDD=12.8V, VGG1=3.4V, VGG2=5V, Pin=50mW

3, escala de frequência de faixa larga: 896-941MHz • Estrutura do tampo do metal que faz as melhorias da radiaço do RF simples

4, controle IGG1+IGG2=0.4mA atual da baixa potência (tipo) @ VGG1=3.4V, VGG2=5V • Tamanho do módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

5, operaço linear so possíveis ajustando o dreno quieto atual com as tensões da porta e controlando o potência de saída com o poder de entrada.


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45 padrão do IEC do transistor RA45H8994M1-101 do ampère de poder da fase do watt 12.8V 2

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