pacote do CASO 211-11 da eficiência elevada do transistor de poder superior 28V de 80W MRF173

Número de modelo:MRF173
Lugar de origem:E.U.A.
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Transistor de poder do RF dos MOSFETs do modo do realce do N-canal MRF173


Projetado para aplicações comerciais e militares de faixa larga até 200 megahertz de escala de frequência. O de alta potência, o alto-ganho e o desempenho de faixa larga destes dispositivos fazem transmissores de circuito integrado possíveis para FM transmitir ou de frequência do canal de televiso faixas.


1, desempenho garantido em 150 megahertz, 28 V: = ganho potência de saída de 80 W = eficiência do DB 11 (tipo do DB 13) = 55% Min. (tipo de 60%)

2, baixa resistência térmica • Aspereza testada em potência de saída avaliado

3, nitreto Passivated morrem para a confiança aumentada

4, figura de baixo nível de ruído — tipo em 2,0 A, 150 megahertz do DB 1,5

5, estabilidade térmica excelente; Serido para a classe uma operaço


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