Lateral do modo do realce do canal do transistor de poder N do Mosfet MRF6V2150NBR1

MOSFETs da lateral do Realce-modo do N-canal dos transistor de poder de MRF6V2150NBR1 RF

Características
• Caracterizado com o grande equivalente da série--Parmetros da impedncia do sinal
• Qualificado até um máximo de uma operaço de 50 VDD
• Proteço integrada do ESD
• pacote 225°C plástico capaz
• RoHS complacente
• Na fita e no carretel. Sufixo R1 = 500 unidades por 44 milímetros, carretel de 13 polegadas.

Projetado primeiramente para o CW grande--aplicações da saída e do motorista do sinal com
frequências até 450 megahertz. Os dispositivos so ímpares e so apropriados para o uso dentro
aplicações industriais, médicas e científicas.

A eletrônica de Koben foi fundada em 1995 e é ficada situada em Silicon Valley de China, Shenzhen. 

A misso de Koben foi sempre fornecer no mundo inteiro componentes da eletrônica da qualidade aos fabricantes. Cedo nos nós transformamo-nos uma canalizaço preliminar para o fim--programa e estocamos em excesso o inventário para distribuidores principais tais como os fabricantes futuros da eletrônica e de contrato como Flextronics. Koben tem adicionado desde ento a fonte dos componentes de alta qualidade dos fabricantes locais em China.

Koben foi sempre cliente conduzido um pouco do que a oportunidade conduzida. Significando nós escolheremos sempre o trajeto que é o melhor para o relacionamento a longo prazo com o cliente sobre a vista a curto prazo. É porque nós temos um do cliente o mais alto contagens da retenço que de China baseou distribuidores.