Transistor de poder do Mosfet do canal de IRFP4227 N a -247AC IRFP4227PBF

Número de modelo:IRFP4227PBF
Lugar de origem:CN
Quantidade de ordem mínima:30 partes
Termos do pagamento:T / T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte:10Kpcs pelo ano
Tempo de entrega:1-2 dias úteis
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Endereço: C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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Detalhes do produto
TRANSISTOR TO-247AC IRFP4227PBF do MOSFET da CANALETA de IRFP4227 200V 65A N
Características
Tecnologia avançada de processos
Parmetros-chave otimizados para as aplicações PDP Sustain, Energy Recovery e Pass Switch
Baixa classificaço de EPULSE para reduzir a dissipaço de energia no PDP Sustain, recuperaço de energia e comutador de passagem
Aplicações
QG baixo para resposta rápida
Capacidade de pico de corrente repetitiva alta para operaço confiável
Tempos curtos de queda e subida para troca rápida de 175 ° C Temperatura operativa de queda para maior robustez
Capacidade de Avalanche Repetitiva para Robustez e Confiabilidade

FabricanteInfineon Technologies
SeriesHEXFET®
EmbalagemTubo
Status da PeçaAtivo
Tipo FETCanal n
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene para a tenso da fonte (Vdss)200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C65A (Tc)
Voltagem de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Carga do Porto (Qg) (Max) @ Vgs98nC @ 10V
Vgs (máx.)± 30V
Capacitncia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds4600pF @ 25V
Recurso FET-
Dissipaço de energia (máx.)330 W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 46A, 10V
Temperatura de operaço-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
Tipo de montagemAtravés do orifício
Pacote de Dispositivo do FornecedorTO-247AC
Pacote / casoTO-247-3


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BAT54SONSEMIQ2015LTLITTLEFUSE
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CY7C1354B-200BGCCIPRESTEG546B1P81UGMT
SI7450DP-T1VISHAY1N4148WDIODOS
M62320FP # CF5JRENESAS / PVT1612AATRAVÉS DA
K9260MEPCOSSCT2026CSSGSCT
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Transistor de poder do Mosfet do canal de IRFP4227 N a -247AC IRFP4227PBF

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