Dissipação de poder 2SD822/D822 de IC 1.25W do transistor/circuito integrado
Número de modelo:2SD822/D822
Lugar de origem:CN
Quantidade de ordem mínima:100
Termos do pagamento:T / União, T Ocidental, MoneyGram
Detalhes de empacotamento:plástico +carton
Pacote:TO-126
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311EF, B Buliding, Zhengzhong Time Square, Longgang District, Shenzhen City, China.
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Transistor 2SD822/D822/circuito integrado IC
CARACTERÍSTICAS
Dissipaço de poder
AVALIAÇÕES MÁXIMAS (TA=25°C salvo disposiço em contrário)
| Símbolo | Parmetro | Valor | Unidades |
| VCBO | Tenso da Coletor-base | 40 | V |
| VCEO | Tenso do Coletor-emissor | 30 | V |
| VEBO | Tenso da Emissor-base | 6 | V |
| IC | Corrente de coletor - contínua | 3 | A |
| Paládio | Dissipaço de poder do coletor | 1,25 | W |
| TJ | Temperatura de junço | 150 | °C |
| Tstg | Temperatura de armazenamento | -55-150 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS (Tamb=25°C salvo disposiço em contrário)
| Parmetro | Símbolo | Condições de teste | MINUTO | TIPO | Max | UNIDADE |
| tenso de diviso da Coletor-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V | ||
| tenso de diviso do Coletor-emissor | (BR) CEO V | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
| tenso de diviso da Emissor-base | V (BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 5 | V | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICBO | VCB= 40 V, IE=0 | 1 | μA | ||
| Corrente de interrupço de coletor | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | μA | ||
| Corrente da interrupço do emissor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | μA | ||
| Ganho atual de C.C. | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
| tenso de saturaço do Coletor-emissor | VCE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
| Tenso de saturaço do emissor de base | VBE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
| Frequência da transiço | fT | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz | 90 | Megahertz |
CLASSIFICAÇO do hFE
| Grau | R | O | Y | GR |
| Escala | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Detalhes do contato:
Contato: Anjo Sun
Telefone: +86-13528847020
E-mail: Admin@winsunhk.cn
Skype: Angelsun618
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Wechat: 13528847020
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