P - Canalize circuitos integrados digitais do Mosfet, circuitos de IRLML6402TRPBF Digitas IC

Número de modelo:IRLML6402TRPBF
Lugar de origem:CN
Quantidade de ordem mínima:100
Termos do pagamento:T / União, T Ocidental, MoneyGram
Detalhes de empacotamento:plástico +carton
Pacote:SOT-23-3
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Shenzhen Guangdong China
Endereço: 311EF, B Buliding, Zhengzhong Time Square, Longgang District, Shenzhen City, China.
Fornecedor do último login vezes: No 41 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto
Mosfet P-canal original IRLML6402TRPBF / circuito integrado IC


Canal P


Descriço:

Esses MOSFETs de Canal P da International Rectifier utilizam
técnicas avançadas de processamento para obter extremamente baixa resistência
por área de silício. Esse benefício, combinado com o rápido
velocidade de comutaço e design robusto de dispositivo que
MOSFETs de potência so bem conhecidos, fornece ao designer
um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em baterias e
gerenciamento de carga.
Um quadro de chumbo grande termicamente aprimorado foi incorporado
no pacote padro do SOT-23 para produzir um
MOSFET com a menor pegada da indústria. Este pacote,
, é ideal para aplicações onde impressos
espaço da placa de circuito é um prêmio. O perfil baixo (<1,1 mm)
permite que ele se encaixe facilmente em aplicações extremamente finas
ambientes como eletrônicos portáteis e placas PCMCIA.
A resistência térmica e a dissipaço de energia so as melhores
acessível.

Característica:

Ultra baixa resistência
MOSFET de canal P
Pegada SOT-23
Perfil baixo (<1,1 mm)
Disponível em Tape and Reel
Comutaço rápida


ParmetroMáx.Unidades
ID @ TC = 25 ° CCorrente de drenagem contínua, VGS @ 10V50.UMA
ID @ TC = 100 ° CCorrente de drenagem contínua, VGS @ 10V35
IDMCorrente de drenagem pulsada200
PD @TC = 25 ° CDissipaço de energia300W
Fator de reduço linear2.0W / ° C
VGSTenso porta-fonte± 20V
EASEnergia de avalanche de pulso único560mJ
IARAvalanche Atual50.UMA
ORELHAEnergia de Avalanche Repetitiva30mJ
dv / dtRecuperaço de diodo de pico dv / dt10V / ns
TJ TSTGFaixa de temperatura de junço operacional e armazenamento-55 a +175° C
Temperatura de solda, por 10 segundos300 (1,6 mm da caixa)
Torque de montagem, 6-32 ou M310 lbf • pol (1,1 N • m)

Detalhes do contato:
Contato: Angel Sun
Tel: + 86-13528847020
E-mail: Admin@winsunhk.cn
Skype: Angelsun618
Whatsapp: 13528847020
Wechat: 13528847020
QQ: 553695308

China P - Canalize circuitos integrados digitais do Mosfet, circuitos de IRLML6402TRPBF Digitas IC supplier

P - Canalize circuitos integrados digitais do Mosfet, circuitos de IRLML6402TRPBF Digitas IC

Inquiry Cart 0