Peça apagável uv somente da memória lida programável SMJ27C512-20JM

Detalhe rápido:

Memória de leitura apenas programável apagável UV

Descriço:

A série SMJ27C256 é um grupo de 262.144 mordido, ultravioletlight apagável, eletricamente memórias de leitura apenas programáveis. Estes dispositivos so fabricados usando a tecnologia do CMOS da poder-economia para a relaço de alta velocidade e simples com MOS e circuitos bipolares. Todas as entradas (que incluem entradas de dados do programa) podem ser conduzidas pela série 54 circuitos de TTL sem o uso dos resistores pullup externos. Cada saída pode conduzir um circuito de TTL da série 54 sem resistores externos. As saídas de dados so o estado 3 para conectar dispositivos múltiplos a um ônibus comum. O SMJ27C256 é pino-compatível com as 28 ROM e EPROM do pino 256K. É oferecido 600mil em uma duplo-em-linha pagackage cermico (sufixo de J) avaliado para a operaço de -55°C a 125°C.

Porque esta EPROM se opera de uma única fonte 5V (no modo lido), é ideal para o uso em sistemas microprocessador-baseados. Outra uma fonte (13V) é necessário para programar.

Todos os sinais de programaço so nível de TTL. Este dispositivo é programável pela PRESSO! Algoritmo de programaço do pulso.

A PRESSO! O algoritmo de programaço do pulso usa um VPP de 13V e um VCC de 6.5V por um tempo de programaço nominal de quatro segundos. Para programar fora do sistema, os programadores existentes da EPROM podem ser usados. Os lugar podem ser programados unicamente, nos blocos, ou aleatoriamente.

Aplicações:

• 32.768 x 8 organizados

• Única fonte de alimentaço de +5V ±10%

• Pin-compatível com as ROM 256K e as EPROM existentes

• Todas as entradas/saídas inteiramente TTL compatível

• tecnologia do CMOS da Poder-economia

• PRESSO de alta velocidade mesma! Programaço do pulso

• 3 amortecedores de saída do estado

• a C.C. 400-mV assegurou a imunidade de ruído com cargas de TTL do standarad

• Imunidade de Latchup de 250 miliampères em todos os pinos da entrada e da saída

• Dissipaço de baixa potência (níveis de entrada do CMOS)

3Ative - pior caso 165mW

3Standby - pior caso 1.7mW (níveis da CMOS-entrada)

Especificações: