Única C.C. de alta tensão SIHB22N60E-E3 ROHS do transistor de poder do Mosfet

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Number modelo:SIHB22N60E-E3

Lugar de origem:Fabricante original

Quantidade de ordem mínima:Quantidade de ordem mínima: 10 PCS

Termos do pagamento:T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Capacidade da fonte:1000

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Tecnologia Co. de Shenzhen Huahao Gaosheng, Ltd

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Shenzhen China

Endereço: 2A2003, construção 2, jardim de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, a comunidade de Qinghu, rua de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen

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ÚNICO TRANSISTOR de PODER DE ALTA TENSO SIHB22N60E do MOSFET - PACOTE D2PAK de E3 600V 21A

Tipo do FET:	N-canal	Temperatura de funcionamento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Pacote:	TO263-3 D2PAK
Luz alta:	transistor do mosfet do canal de n , transistor do canal de n

Tipo do FET:

N-canal

Temperatura de funcionamento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Pacote:

TO263-3 D2PAK

Luz alta:

transistor do mosfet do canal de n

Único transistor de poder de alta tenso SIHB22N60E do Mosfet - pacote D2PAK de E3 600V 21A

Fabricante	Vishay Siliconix
Série	-
Empacotamento	Tubo
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)	600V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C	21A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máximo)	±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	1920pF @ 100V
Característica do FET	-
Dissipaço de poder (máxima)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	D2PAK
Pacote/caso	TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB

Etiquetas de Produtos:

mosfet de alta potência Mosfet de potência normal Mosfet de alta potência

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