montagem de superfície IRF640NSTRLPBF do transistor do Mosfet do canal de 200v N

Montagem D2PAK da superfície 150W do transistor 200V 18A do Mosfet do N-canal de IRF640NSTRLPBF (Tc) (Tc)

? Tecnologia de processamento avançada?

Avaliaço dinmica de dv/dt? temperatura de funcionamento 175°C?

Interruptor rápido? Inteiramente avalancha avaliada?

Facilidade da paralelizaço?

Exigências simples da movimentaço

Descriço

Os MOSFETs do poder da quinta geraço HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutaço rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET so conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações. O pacote TO-220 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipaço de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem a sua aceitaço larga durante todo a indústria. O D2Pak é um pacote de superfície do poder da montagem capaz da acomodaço a morrer tamanhos até HEX-4. Fornece a capacidade do poder o mais alto e o mais baixo onresistance possível em todo o pacote de superfície existente da montagem. O D2Pak é apropriado para aplicações atuais altas devido a sua baixa resistência interna da conexo e pode dissipar-se até 2.0W em uma aplicaço de superfície típica da montagem. A verso do através-furo (IRF640NL) está disponível para a aplicaço lowprofile.