Complemento PBSS4160T do transistor de poder PNP do Mosfet de NPN baixo Vcesat

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Complemento PBSS4160T do transistor de poder PNP do Mosfet de NPN baixo Vcesat

Number modelo:PBSS4160T, 215

Lugar de origem:Fabricante original

Quantidade de ordem mínima:Quantidade de ordem mínima: 10 PCS

Termos do pagamento:T/T adiantado, Western Union, Xtransfer

Capacidade da fonte:1000

Prazo de entrega:Dentro de 3days

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Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd

Dos Estados-activa

Shenzhen China

Endereço: 2A2003, construção 2, jardim de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, a comunidade de Qinghu, rua de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen

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COMPLEMENTO PBSS4160T DO TRANSISTOR DE PODER PNP DO MOSFET DE NPN BAIXO VCESAT

Os bens condicionam:	Brandnew	Estado da parte:	Ativo
Sem chumbo/Rohs:	Queixa	Funço:	NPN
Montando o tipo:	Montagem de superfície	Pacote:	SOT23
Luz alta:	transistor do mosfet do canal de n , transistor do canal de n

Baixo VCEsat transistor de PBSS4160T NPN SOT23 em um complemento plástico do pacote PNP a PBSS5160T

CARACTERÍSTICAS
• Baixa tenso de saturaço VCEsat do coletor-emissor
• Capacidade alta IC e ICM da corrente de coletor
• A eficiência elevada, reduz a geraço de calor
• Reduz a área da placa dos circuitos impressos exigida
• Substituiço eficaz na reduço de custos para o transistor de poder médio BCP55 e BCX55.

APLICAÇÕES
• Segmentos principais da aplicaço:
– Poder automotivo de 42 V
– Infraestrutura das telecomunicações
– Industrial.
• Gesto do poder:
– Converso C.C.--C.C.
– Interruptor de linha de abastecimento.
• Motorista periférico
– Motorista em baixas aplicações da tenso de fonte (por exemplo lmpadas e diodos emissores de luz)
– Motorista da carga indutiva (por exemplo relés, campainhas elétricas e motores).

Fabricante	Nexperia EUA Inc.
Série	-
Empacotamento	Fita & carretel (TR)
Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	NPN
Atual - coletor (CI) (máximo)	1A
Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima)	60V
Saturaço de Vce (máxima) @ Ib, CI	250mV @ 100mA, 1A
Atual - interrupço do coletor (máxima)	100nA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce	200 @ 500mA, 5V
Poder - máximo	400mW
Frequência - transiço	220MHz
Temperatura de funcionamento	150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote do dispositivo do fornecedor	TO-236AB (SOT23)
Número da peça baixa	PBSS4160

Lista de outros componentes eletrônicos no estoque
NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND	NÚMERO DA PEÇA	MFG/BRAND
ISP1104W		MPC860DECZQ50D4	FRRESCALE
IRLR2908PBF	IRF	MAX993ESD+T	MÁXIMA
A64	ST	MAX9120EXK+T	MÁXIMA
TDA4665		CY7C1360B-166AJXC	CYPRESS
RT9231	RICHTEK	S29GL01GP11FFIR10	SPANSION
PW328-30L	PIXELWO	TPS25200DRVR	SI
PCA9543AD		NQ84010TNB QL85ES	INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1	MÍCRON	YZ98223R02	TDK
LT1110CS8	LT	VLP8040T-680M	TDK
LSI53C1030CO	LSILOGIC	SPHE8202R	SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA	ERICSSON	IRLU024NPBF	IR
WJLXT384E	CORTINA	ICS307M-02ILFT	ICS
ST4G3235BJR	STM	BD13716S	FAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPB	SI	BCX55-16E6327	INFINEON
ADG451BR	DDA	TLE42994E	INFINEON
NTUD3169CZT5G	EM	NJM2283M (TE2)	JRC
TG83-1505NUTR	HALO	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	DDA
CD4572BE	SI	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON