Armazenamento da memória CI Chip Flash Semiconductors Dram
W25Q16JVSSIQ de aparelhos eletrodomésticos Winbond
A memória Flash de série de W25Q16JV (16M-bit) fornece uma soluço
do armazenamento para sistemas o espaço, os pinos e o poder
limitados. A série 25Q oferece a flexibilidade e o desempenho bem
além dos dispositivos instantneos de série ordinários. So ideais
para o código que sombreia a RAM, executando o código diretamente
de duplo/quadrilátero SPI (XIP) e armazenando a voz, o texto e os
dados. O dispositivo opera-se em um único 2.7V fonte de alimentaço
3.6V com consumo atual to baixo como 1µA para o poder-para baixo.
A disposiço de W25Q16JV é organizada em 8.192 páginas programáveis
de 256 bytes cada um. Até 256 bytes podem ser programados em um
momento. As páginas podem ser apagadas nos grupos de 16 (o setor
4KB apaga), nos grupos de 128 (o bloco 32KB apaga), nos grupos de
256 (o bloco 64KB apaga) ou na microplaqueta inteira (a
microplaqueta apaga). O W25Q16JV tem 512 setores apagáveis e 32
blocos apagáveis respectivamente. Os setores 4KB pequenos permitem
a maior flexibilidade nas aplicações que exigem o armazenamento dos
dados e do parmetro. (Veja figura 2.)
O W25Q16JV apoia a relaço periférica de série padro (SPI), e um
elevado desempenho saída dupla/quadrilátero assim como I/O SPI
duplo/quadrilátero: Pulso de disparo de série, Chip Select, dados
de série I/O0 (DI), I/O1 (FAÇA), I/O2, e I/O3. As frequências de
pulso de disparo de SPI até de 133MHz so apoiadas permitindo taxas
de pulso de disparo equivalentes de 266MHz (133MHz x 2) para I/O
duplo e 532MHz (133MHz x 4) para o I/O do quadrilátero ao usar as
instruções lidas rápidas duplas/do quadrilátero I/O. Estas taxas de
transferência podem outperform 8 assíncronos padro e memórias Flash
paralelas de 16 bits.