Circuitos integrados análogos IR2103PBF PDIP-8 da gesto CI do poder
do isolador CI
Os IR2103 so MOSFET de alta tenso, de alta velocidade do poder e os
motoristas de IGBT com lado dependente do alto e baixo proveram os
canais de saída. HVIC proprietários e para travar tecnologias
imunes do CMOS permitem a construço monolítica ruggedized. A
entrada da lógica é compatível com saída padro do CMOS ou do LSTTL,
para baixo lógica 3.3V. Os motoristas da saída caracterizam uma
fase de amortecedor atual do pulso alto projetada para a
cruz-conduço mínima do motorista. O canal de flutuaço pode ser
usado para conduzir um MOSFET ou um IGBT do poder do N-canal na
configuraço lateral alta que opera até 600 volts.
Características do App
Canal de flutuaço projetado para a operaço da tira de bota
Plenamente operacional a +600V
Tolerante tenso transiente negativa
dV/dt imune
Escala da fonte da movimentaço da porta de 10 a 20V
Fechamento do Undervoltage
lógica 3.3V, 5V e 15V compatível
lógica da prevenço da Cruz-conduço
Atraso de propagaço combinado para ambos os canais
Deadtime ajustado interno
Saída lateral alta na fase com entrada de HIN
Baixa saída lateral fora da fase com entrada de LIN
Descriço
Os IR2104 so MOSFET de alta tenso, de alta velocidade do poder e os
motoristas de IGBT com lado dependente do alto e baixo proveram os
canais de saída. HVIC proprietários e para travar tecnologias
imunes do CMOS permitem a construço monolítica ruggedized. A
entrada da lógica é compatível com saída padro do CMOS ou do LSTTL,
para baixo lógica 3.3V. Os motoristas da saída caracterizam uma
fase de amortecedor atual do pulso alto projetada para a
cruz-conduço mínima do motorista. O canal de flutuaço pode ser
usado para conduzir um MOSFET ou um IGBT do poder do N-canal na
configuraço lateral alta que se opera de 10 a 600 volts.