MOSFET análogo da MICROPLAQUETA IR21814SPBF IGBT dos semicondutores SMD do isolador CI dos motoristas da porta

Number modelo:IR21814SPBF

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Capacidade da fonte:Quantidade disponível 4128 partes

Prazo de entrega:Negociável

Modelo do produto:IR21814SPBF

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Circuitos integrados análogos IR2103PBF PDIP-8 da gesto CI do poder do isolador CI
Os IR2103 so MOSFET de alta tenso, de alta velocidade do poder e os motoristas de IGBT com lado dependente do alto e baixo proveram os canais de saída. HVIC proprietários e para travar tecnologias imunes do CMOS permitem a construço monolítica ruggedized. A entrada da lógica é compatível com saída padro do CMOS ou do LSTTL, para baixo lógica 3.3V. Os motoristas da saída caracterizam uma fase de amortecedor atual do pulso alto projetada para a cruz-conduço mínima do motorista. O canal de flutuaço pode ser usado para conduzir um MOSFET ou um IGBT do poder do N-canal na configuraço lateral alta que opera até 600 volts.

Características do App

Canal de flutuaço projetado para a operaço da tira de bota plenamente operacional a +600V tolerante tenso transiente negativa dV/dt imune
Escala da fonte da movimentaço da porta de 10 a 20V
Fechamento do Undervoltage para ambos os canais
lógica da entrada 3.3V e 5V compatível
Atraso de propagaço combinado para ambos os canais
Terra da lógica e do poder +/- offset 5V.
Mais baixo motorista da porta de di/dt para a melhor imunidade de ruído
Fonte da saída/capacidade atual 1.4A/1.8A do dissipador
SEM CHUMBO também disponível (PbF)

O IR 2181(4) (s) é MOSFET de alta tenso, de alta velocidade do poder e os motoristas de IGBT com lado independente do alto e baixo proveram os canais de saída. Pro? HVIC prietary e para travar tecnologias imunes do CMOS permitem o rugge? construço monolítica dized. A entrada da lógica é compatível com saída padro do CMOS ou do LSTTL, para baixo lógica 3.3V. Os motoristas da saída caracterizam uma fase de amortecedor atual do pulso alto projetada para a cruz mínima do motorista? conduço. O canal de flutuaço pode ser usado para conduzir um MOSFET ou um IGBT do poder do N-canal na configuraço lateral alta que opera até 600 volts.

Dados básicos

Atributo de produto	Valor de atributo
Fabricante:	Infineon
Categoria de produto:	Motoristas da porta
RoHS:	Detalhes
Produto:	IGBT, motoristas da porta do MOSFET
Tipo:	Alto-lado, Baixo-lado
Montando o estilo:	SMD/SMT
Pacote/caso:	SOIC-14
Número de motoristas:	Motorista 2
Número de saídas:	Saída 2
Corrente de saída:	1,8 A
Tenso de fonte - minuto:	10 V
Tenso de fonte - máxima:	20 V
Tempo de elevaço:	60 ns
Tempo de queda:	35 ns
Temperatura de funcionamento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 125 C
Empacotamento:	Tubo
Tipo:	Infineon Technologies
Características:	Independente
Altura:	1,5 milímetros
Comprimento:	8,74 milímetros
Tipo da lógica:	CMOS, TTL
Tempo de atraso máximo da volta-Fora:	220 ns
Tempo de atraso de ligaço máximo:	180 ns
Umidade sensível:	Sim
Tenso de fonte do funcionamento:	10 V a 20 V
Paládio - dissipaço de poder:	1000 mW
Tipo de produto:	Motoristas da porta
Atraso de propagaço - máximo:	330 ns
	1980
Subcategoria:	PMIC - Gesto CI do poder
Tecnologia:	Si
Largura:	3,99 milímetros
Parte # pseudônimos:	IR21814SPBF SP001536712
Peso de unidade:	0,057144 onças

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