Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD3154NT1G
Número da peça:NTZD3154NT1G
Fabricante:No semicondutor
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem:Original
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Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificações de NTZD3154NT1G
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N-canal 2 (duplo) |
| Característica do FET | Padro |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 20V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 540mA |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Poder - máximo | 250mW |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-563 |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento de NTZD3154NT1G
Detecço
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTZD3154NT1G
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