Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTHD3100CT1G
Número da peça:NTHD3100CT1G
Fabricante:No semicondutor
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem:Original
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Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificações de NTHD3100CT1G
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N e P-canal |
| Característica do FET | Porta do nível da lógica |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 20V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 2.9A, 3.2A |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 1.2V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Poder - máximo | 1.1W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 8-SMD, ligaço lisa |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | ChipFET™ |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento de NTHD3100CT1G
Detecço
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NTHD3100CT1G
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