Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AOD609
Número da peça:AOD609
Fabricante:& alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição:MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem:Original
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Dos Estados-activa
Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Detalhes do produto
Especificações AOD609
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N e P-canal, dreno comum |
| Característica do FET | Porta do nível da lógica |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 40V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 12A |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 30 mOhm @ 12A, 10V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 10.8nC @ 10V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 650pF @ 20V |
| Poder - máximo | 2W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | TO-252-5, DPak (4 ligações + abas), TO-252AD |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-252-4L |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento AOD609
Detecço
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo AOD609
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