Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS
Número da peça:AON5802ALS
Fabricante:& alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição:MOSFET N-CH DFN DUPLO
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série:*
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Dos Estados-activa
Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Fornecedor do último login vezes:
No 16 Horas
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Perfil da empresa
Detalhes do produto
Especificações de AON5802ALS
| Estado da parte | Compra da última vez |
|---|---|
| Tipo do FET | - |
| Característica do FET | - |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | - |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | - |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | - |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | - |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | - |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | - |
| Poder - máximo | - |
| Temperatura de funcionamento | - |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 6-WDFN expôs a almofada |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 6-DFN (2x5) |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento de AON5802ALS
Detecço
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON5802ALS
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