SSM6N48FU, RF (disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de D

Número da peça:SSM6N48FU, RF (D
Fabricante:Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Lugar de origem:Original
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Dos Estados-activa
Endereço: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

SSM6N48FU, RF (especificações de D

Estado da parteObsoleto
Tipo do FETN-canal 2 (duplo)
Característica do FETPorta do nível da lógica, movimentaço 2.5V
Drene tenso da fonte (Vdss)30V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C100mA (Ta)
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs3,2 ohms @ 10mA, 4V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @1.5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs-
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds15.1pF @ 3V
Poder - máximo300mW
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipoMontagem de superfície
Pacote/caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedorUS6
ExpediçoUPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
CircunstnciaFábrica original nova.

SSM6N48FU, RF (empacotamento de D

Detecço

China SSM6N48FU, RF (disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de D supplier

SSM6N48FU, RF (disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de D

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