Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF7752
Número da peça:IRF7752
Fabricante:Infineon Technologies
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Série:HEXFET®
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Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificações IRF7752
| Estado da parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo do FET | N-canal 2 (duplo) |
| Característica do FET | Porta do nível da lógica |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 30V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 4.6A |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 30 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 2V @ 250µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 861pF @ 25V |
| Poder - máximo | 1W |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | 8-TSSOP (0,173", largura de 4.40mm) |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-TSSOP |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento IRF7752
Detecço
Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF7752
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