MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD3NK80Z-1 únicos
Número da peça:STD3NK80Z-1
Fabricante:STMicroelectronics
Descrição:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Categoria:Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:SuperMESH™
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificações STD3NK80Z-1
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene tenso da fonte (Vdss) | 800V |
| Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificaço de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 50µA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 485pF @ 25V |
| Vgs (máximo) | ±30V |
| Característica do FET | - |
| Dissipaço de poder (máxima) | 70W (Tc) |
| RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs | 4,5 ohms @ 1.25A, 10V |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | Eu-Pak |
| Pacote/caso | TO-251-3 ligações curtos, IPak, TO-251AA |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento STD3NK80Z-1
Detecço
MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD3NK80Z-1 únicos
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