BLDC viaja de automóvel Mosfet IPB017N10N5 Infineon do poder do transistor de efeito de campo

Number modelo:IPB017N10N5
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Termos do pagamento:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:Quantidade disponível 41128 peças
Prazo de entrega:Negociável
Modelo do produto:STB24N60DM2
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Endereço: ST MONGKOKKL DO REI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
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Detalhes do produto
Gama de produtos
  • Os semicondutores do transistor de efeito de campo de IPB017N10N5 Infineon põem transistor do Mosfet
  • N-canal 600 V do MOSFET, tipo 18 de 0,175 ohms Um MOSFET do poder de MDmesh DM2 no pacote de D2PAK
Características do App
  • Ideal para aplicações da quente-troca e do e-fusível
  • Baixa em-resistência mesma RDS (sobre)
  • Área de funcionamento seguro larga SOA
  • N-canal, nível normal
  • a avalancha 100% testou
  • Pb-freeplating; RoHS complacente
  • Qualificado de acordo com JEDEC1) para aplicações do alvo
  • Halogênio-livre de acordo com IEC61249-2-21
Dados básicos
Atributo de produtoValor de atributo
Infineon
Categoria de produto:MOSFET
RoHS:Detalhes
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-canal
1 canal
100 V
180 A
1,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,2 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Realce
OptiMOS
Carretel
Corte a fita
MouseReel
Tipo:Infineon Technologies
Configuraço:Único
Tempo de queda:27 ns
Transcondutncia dianteira - minuto:132 S
Tipo de produto:MOSFET
Tempo de elevaço:23 ns
Série:OptiMOS 5
Quantidade do bloco da fábrica1000
Subcategoria:MOSFETs
Tipo do transistor:1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora:80 ns
Tempo de atraso de ligaço típico:33 ns
Parte # pseudônimos:IPB017N10N5LF SP001503850
Peso de unidade:0,056438 onças
FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA
Aplicaço
  • Aplicações de comutaço
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos de ím permanente
  • Inversores
  • Meios motoristas da ponte
  • Sistemas de controlo robóticos
  • Dispositivos
  • Infraestrutura da grade
  • EPOS • Theate da casa
  • Sistemas de energia distribuídos
  • Comunicações/infraestrutura dos trabalhos em rede

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Chip Diagram

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BLDC viaja de automóvel Mosfet IPB017N10N5 Infineon do poder do transistor de efeito de campo

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