Os semicondutores põem o canal STB24N60DM2 do transistor N do Mosfet

Number modelo:STB24N60DM2
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Termos do pagamento:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:Quantidade disponível 41128 peças
Prazo de entrega:Negociável
Modelo do produto:STB24N60DM2
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Endereço: ST MONGKOKKL DO REI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
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Detalhes do produto
Gama de produtos
  • Os semicondutores STB24N60DM2 põem o transistor de efeito de campo dos transistor do Mosfet discreto N-canal
  • N-canal 600 V, 0,13 tipos de Ω., 21 MOSFETs de um poder de MDmesh™ DM2 no ² PAK de D, pacotes TO-220 e TO-247
Características do App
  1. Características
  • diodo do corpo da Rápido-recuperaço
  • Extremamente - baixas carga da porta e capacidade da entrada
  • Baixa em-resistência
  • a avalancha 100% testou
  • Aspereza extremamente alta de dv/dt
  • Zener-protegido
  1. Descriço
  • Estes MOSFETs de alta tenso do poder do N-canal so parte da série rápida do diodo da recuperaço de MDmesh™ DM2. Oferecem a carga muito baixa da recuperaço (Qrr) e a hora (trr) combinada com o baixo RDS (sobre), tornando os apropriados para os conversores e o ideal de exigência da eficiência elevada para conversores das topologias da ponte e do fase-deslocamento de ZVS.
Dados básicos
Atributo de produtoValor de atributo
STMicroelectronics
Categoria de produto:MOSFET
RoHS:Detalhes
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-canal
1 canal
600 V
18 A
200 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Realce
FDmesh
Carretel
Corte a fita
Carretel
Tipo:STMicroelectronics
Configuraço:Único
Tempo de queda:15 ns
Tipo de produto:MOSFET
Tempo de elevaço:8,7 ns
Série:STB24N60DM2
1000
Subcategoria:MOSFETs
Tempo de atraso típico da volta-Fora:60 ns
Tempo de atraso de ligaço típico:15 ns
Peso de unidade:0,139332 onças
FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA
Aplicaço
  • Aplicações de comutaço
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos de ím permanente
  • Inversores
  • Meios motoristas da ponte
  • Sistemas de controlo robóticos
  • Dispositivos
  • Infraestrutura da grade
  • EPOS • Theate da casa
  • Sistemas de energia distribuídos
  • Comunicações/infraestrutura dos trabalhos em rede
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Circuitos integrados CI
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SSD2848K1SSD2828QN4SSD2805CG39RSSD1963G41A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHAMIC28514T-E/PHAMIC28513-1YFL-TRMIC28516T-E/PHAMIC28510YJL-TR
TPS54160DGQRTPS54160ADRCRTPS54140ADRCRTPS5410MDREPTPS54336ADDAR
LM2596SXADJLM2596SX-3.3LM2596SX-5.0LM2596SX-12DRV8312DDWR
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STM32F042K6U7STM32F042G4U6STM32F042F4P6STM32F042C6U7STM32F042K6T7
Chip Diagram

China Os semicondutores põem o canal STB24N60DM2 do transistor N do Mosfet supplier

Os semicondutores põem o canal STB24N60DM2 do transistor N do Mosfet

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