Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 da proteção de circuito

Número do modelo:IPD060N03LGATMA1
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Termos do pagamento:T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:Quantidade disponível 300000 partes
Prazo de entrega:Pode enviar imediatamente
Modelo do produto:IPD060N03LGATMA1
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Proteço IPD060N03LGATMA1 de Chip Discrete Semiconductors Circuit do transistor de efeito de campo


Gama de produtos
  • OptiMOSª3? Poder-transistor, MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Dados básicos

Atributo de produtoValor de atributo
Infineon
Categoria de produto:MOSFET
RoHS:Detalhes
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-canal
1 canal
30 V
50 A
6 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,2 V
nC 14,4
- 55 C
+ 175 C
56 W
Realce
OptiMOS
Carretel
Corte a fita
Tipo:Infineon Technologies
Configuraço:Único
Tempo de queda:3 ns
Transcondutncia dianteira - minuto:34 S
Altura:2,3 milímetros
Comprimento:6,5 milímetros
Tipo de produto:MOSFET
Tempo de elevaço:3 ns
Série:OptiMOS 3
2500
Subcategoria:MOSFETs
Tipo do transistor:1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora:20 ns
Tempo de atraso de ligaço típico:5 ns
Largura:6,22 milímetros
Parte # pseudônimos:IPD060N03L G SP000680632
Peso de unidade:0,011640 onças
Aplicaço
  • Aplicações de comutaço
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos de ím permanente
  • Inversores
  • Meios motoristas da ponte
  • Sistemas de controlo robóticos
  • Dispositivos
  • Infraestrutura da grade
  • EPOS • Theate da casa
  • Sistemas de energia distribuídos
  • Comunicações/infraestrutura dos trabalhos em rede
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  • Proteço de Chip Discrete Semiconductors Circuit do transistor de efeito de campo IPD060N03LGATMA1
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AOZ1016AI

AOZ1050AI
AOZ1073AIAOZ1046AIAOZ1036PIAOZ1050PIAOZ1280CIAOZ1284I
Chip Diagram

China Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 da proteção de circuito supplier

Poder Mos Transistor Chip IPD060N03LGATMA1 da proteção de circuito

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