Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB03N60R2DT4G IGBT único

Número da peça:NGTB03N60R2DT4G
Fabricante:No semicondutor
Descrição:IGBT 9A 600V DPAK
Categoria:Transistor - IGBTs - únicos
Família:Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem:Original
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Dos Estados-activa
Endereço: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
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Detalhes do produto

Especificações de NGTB03N60R2DT4G

Estado da parteAtivo
Tipo de IGBT-
Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima)600V
Atual - coletor (CI) (máximo)9A
Atual - coletor pulsado (Icm)12A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI2.1V @ 15V, 3A
Poder - máximo49W
Energia de comutaço50µJ (sobre), 27µJ (fora)
Tipo entradoPadro
Carga da porta17nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C27ns/59ns
Condiço de teste300V, 3A, 30 ohms, 15V
Tempo de recuperaço reversa (trr)65ns
Temperatura de funcionamento175°C (TJ)
Montando o tipoMontagem de superfície
Pacote/casoTO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedorDPAK
ExpediçoUPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
CircunstnciaFábrica original nova.

Empacotamento de NGTB03N60R2DT4G

Detecço

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