Transistor IGBTs do módulo de poder de FGD3N60LSDTM IGBT único

Número da peça:FGD3N60LSDTM
Fabricante:Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:IGBT 600V 6A 40W DPAK
Categoria:Transistor - IGBTs - únicos
Família:Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem:Original
Contate

Add to Cart

Dos Estados-activa
Endereço: ST MONGKOKKL DO REI COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
Detalhes do produto Perfil da empresa
Detalhes do produto

Especificações de FGD3N60LSDTM

Estado da parteAtivo
Tipo de IGBT-
Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima)600V
Atual - coletor (CI) (máximo)6A
Atual - coletor pulsado (Icm)25A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI1.5V @ 10V, 3A
Poder - máximo40W
Energia de comutaço250µJ (sobre), 1mJ (fora)
Tipo entradoPadro
Carga da porta12.5nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C40ns/600ns
Condiço de teste480V, 3A, 470 ohms, 10V
Tempo de recuperaço reversa (trr)234ns
Temperatura de funcionamento-
Montando o tipoMontagem de superfície
Pacote/casoTO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedorD-Pak
ExpediçoUPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
CircunstnciaFábrica original nova.

Empacotamento de FGD3N60LSDTM

Detecço

China Transistor IGBTs do módulo de poder de FGD3N60LSDTM IGBT único supplier

Transistor IGBTs do módulo de poder de FGD3N60LSDTM IGBT único

Inquiry Cart 0