Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT único
Número da peça:HGTG5N120BND
Fabricante:Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:IGBT 1200V 21A 167W TO247
Categoria:Transistor - IGBTs - únicos
Família:Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem:Original
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Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificações de HGTG5N120BND
| Estado da parte | No para projetos novos |
|---|---|
| Tipo de IGBT | NPT |
| Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 21A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 40A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.7V @ 15V, 5A |
| Poder - máximo | 167W |
| Energia de comutaço | 450µJ (sobre), 390µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padro |
| Carga da porta | 53nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Condiço de teste | 960V, 5A, 25 ohms, 15V |
| Tempo de recuperaço reversa (trr) | 65ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
| Expediço | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstncia | Fábrica original nova. |
Empacotamento de HGTG5N120BND
Detecço
Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG5N120BND IGBT único
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