Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB25N120FL3WG IGBT único

Número da peça:NGTB25N120FL3WG
Fabricante:No semicondutor
Descrição:IGBT 1200V 100A TO247
Categoria:Transistor - IGBTs - únicos
Família:Transistor - IGBTs - únicos
Lugar de origem:Original
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Dos Estados-activa
Endereço: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Fornecedor do último login vezes: No 16 Horas
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Especificações de NGTB25N120FL3WG

Estado da parteAtivo
Tipo de IGBTParada de campo da trincheira
Tenso - diviso do emissor do coletor (máxima)1200V
Atual - coletor (CI) (máximo)100A
Atual - coletor pulsado (Icm)100A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI2.4V @ 15V, 25A
Poder - máximo349W
Energia de comutaço1mJ (sobre), 700µJ (fora)
Tipo entradoPadro
Carga da porta136nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C15ns/109ns
Condiço de teste600V, 25A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperaço reversa (trr)114ns
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipoAtravés do furo
Pacote/casoTO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedorTO-247-3
ExpediçoUPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
CircunstnciaFábrica original nova.

Empacotamento de NGTB25N120FL3WG

Detecço

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Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB25N120FL3WG IGBT único

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