Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS
Number modelo:SPW35N60C3
Quantidade de ordem mínima:Negociável
Termos do pagamento:T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte:Quantidade disponível 30000 partes
Prazo de entrega:Negociável
Modelo do produto:NGTB40N120SWG
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Endereço:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Gama de produtos
- MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 dos semicondutores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS
Características do App
- Tecnologia de alta tenso revolucionária nova
- Carga ultra baixa da porta
- A avalancha periódica avaliou
- O dv extremo /dt avaliou
- Capacidades eficazes ultra baixas
- Transcondutncia melhorada
Dados básicos
| Atributo de produto | Valor de atributo |
|---|---|
| Infineon | |
| Categoria de produto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalhes |
| Si | |
| Através do furo | |
| TO-247-3 | |
| N-canal | |
| 1 canal | |
| 600 V | |
| 34,6 A | |
| 100 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,1 V | |
| 150 nC | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 313 W | |
| Realce | |
| CoolMOS | |
| Tubo | |
| Tipo: | Infineon Technologies |
| Configuraço: | Único |
| Tempo de queda: | 10 ns |
| Transcondutncia dianteira - minuto: | 36 S |
| Altura: | 21,1 milímetros |
| Comprimento: | 16,13 milímetros |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Tempo de elevaço: | 5 ns |
| Série: | CoolMOS C3 |
| 240 | |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Tipo do transistor: | 1 N-canal |
| Tempo de atraso típico da volta-Fora: | 70 ns |
| Tempo de atraso de ligaço típico: | 10 ns |
| Largura: | 5,21 milímetros |
| Parte # pseudônimos: | SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1 |
| Peso de unidade: | 0,211644 onças |
FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA
- MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 dos semicondutores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS
Aplicaço
- Amplamente utilizado na fase, concerto, uma comunicaço da rede, Smartphones marca portáteis que os cadernos põem o Dongle das cmeras dos adaptadores
Processo da ordem
| Adicione as peças ao formulário do RFQ | Submeta o RFQ | Nós respondemos dentro de 24 horas |
| Você confirma a ordem | Pagamento | Navio para fora sua ordem |
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Chip Diagram
Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A do transistor do semicondutor SPW35N60C3 do poder de IGBT CoolMOS
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