RBQ3RSM10BTL1 montagem de superfície componente eletrônica TO-277A do diodo 100V 3A
Number modelo:RBQ3RSM10BTL1
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Tipo de diodo:escocês
Tensão - CC reversa (Vr) (Máx):100 V
Corrente - Média Retificada (Io):3A
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Shenzhen China
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Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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Montagem de superfície TO-277A de Schottky 100 V 3A do diodo RBQ3RSM10BTL1
Diodos de barreira de RBQx Schottky do semicondutor de ROHM
Os diodos de barreira de RBQx Schottky do semicondutor de ROHM so AEC-Q101 qualificaram a alto-confiança baixo IDiodos de R para a correço geral. Estes diodos caracterizam um tipo do molde do poder, o tipo duplo comum do cátodo, e a estrutura planar epitaxial do silicone. Os diodos de barreira de RBQx Schottky so armazenados em -55°C variaço da temperatura 150°C. Estes diodos funcionam na temperatura de junço 150°C e na corrente de impulso do pico 100A para a frente. Os diodos de barreira de RBQx Schottky so ideais para o uso na fonte de alimentaço de comutaço.
CARACTERÍSTICAS
- Confiança alta
- Tipo do molde do poder
- Estrutura planar epitaxial do silicone
- Tipo duplo comum do cátodo
- Baixo mimR
ESPECIFICAÇÕES
- temperatura de junço 150°C
- -55°C variaço da temperatura do armazenamento 150°C
- corrente de impulso dianteiro do pico 100A
RBQ3RSM10BTL1 montagem de superfície componente eletrônica TO-277A do diodo 100V 3A
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