Parada de campo 650 V da trincheira de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 80 A
375 W através do furo TO-247-4L
trincheira IGBTs do onsemi FGHL75T65MQDTx
a trincheira IGBTs do onsemi FGHL75T65MQDTx é 4a meados de-velocidade IGBTs da geraço do th tecnologia-embalou com
o diodo atual inteiramente avaliado. Os FGHL75T65MQDTx IGBTs
operam-se na temperatura de junço 175°C máxima, no coletor 650V
tenso do emissor, e na corrente de coletor 75A. Este IGBTs
caracteriza o coeficiente de temperatura positivo para a operaço
paralela fácil, capacidade atual alta, interruptor liso e
aperfeiçoado, e distribuiço apertada do parmetro. O FGHL75T65MQDT é
construído em um pacote de TO247-3L e o FGHL75T65MQDTL4 IGBT é
construído em um pacote de TO247-4L. Este IGBTs é ideal para
aplicações em inversores solares, em UPS, em ESS, em PFC, e em
conversores.
CARACTERÍSTICAS
temperatura de junço 175°C máxima TJ
Coeficiente de temperatura positivo para um funcionamento fácil da
paralela