Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L
Number modelo:FGH4L40T120LQD
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.):1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx):80A
Atual - coletor pulsado (Icm):160 A
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Shenzhen China
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Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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Parada de campo 1200 V da trincheira de FGH4L40T120LQD IGBT 80 A 306 W através do furo TO-247-4L
onsemi FGH4L40T120LQD IGBT
o onsemi FGH4L40T120LQD IGBT é ultra uma construço robusta da trincheira da parada de campo que forneça o desempenho superior em aplicações de comutaço de exigência. Este IGBT é incorporado no dispositivo que é um diodo deroda co-empacotado macio e rápido com uma baixa tenso dianteira. O FGH4L40T120LQD IGBT oferece ambo a baixa tenso do em-estado e a perda de comutaço mínima. Este IGBT opera-se na temperatura de junço 175°C máxima. O FGH4L40T120LQD IGBT opera-se em 1200V, 40A, e é construído em um pacote de TO247 4L. As aplicações típicas incluem inversores solares e UPS, interruptor industrial, e soldadura.
CARACTERÍSTICAS
- Trincheira extremamente eficiente com tecnologia da parada de campo
- temperatura de junço 175°C máxima (TJ)
- Diodo reverso rápido e macio da recuperaço
- Aperfeiçoado para baixo VCE(Sat)
- tenso máxima do Coletor-emissor 1200V (VCE)
APLICAÇÕES
- Inversor solar e UPS
- Interruptor industrial
- Soldadura
CONEXO DE PIN
CARACTERÍSTICAS DA CARGA DA PORTA
Módulo 1200V 80A 306W do transistor de FGH4L40T120LQD IGBT através do furo TO-247-4L
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