Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT
Number modelo:IXBT14N300HV
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.):3000 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx):38A
Atual - coletor pulsado (Icm):120A
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Shenzhen China
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Sala 3001-2, torre A, plaza do comércio mundial, estrada do no. 9 Fuhong, distrito de Futian, Shenzhen
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Montagem de superfície TO-268HV de IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 W (IXBT)
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduço reverso IGBTs
IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ de conduço reverso IGBTs combinam as forças dos MOSFETs e do IGBTs. Estes dispositivos de alta tenso so ideais para a operaço paralela devido ao coeficiente de temperatura positivo da tenso de sua tenso de saturaço e da queda de tenso dianteira de seu diodo intrínseco. Os diodos intrínsecos “livres” do corpo do saque de IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs como um diodo da proteço, fornecendo um trajeto alternativo para a carga indutiva atual durante a volta-fora do dispositivo, impedindo que os transeuntes altos da tenso de Ldi/dt imponham dano ao dispositivo.Usar o IXBx14N300HV BiMOSFET IGBTs, desenhistas do poder pode eliminar a mais baixa tenso série-paralela múltipla, para abaixar os dispositivos avaliados atuais, desse modo reduzindo o número de componentes do poder exigidos e simplificando circuitos associados da movimentaço da porta. Esta característica conduz a um projeto de sistema muito mais simples com uma confiança mais barata e melhorada.
Os IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET™ IGBTs esto disponíveis em pacotes de TO-263HV (IXBA14N300HV) e de TO-268HV (IXBT14N300HV). Estes dispositivos caracterizam um -55°C variaço da temperatura da junço de +150°C.
CARACTERÍSTICAS
- Diodo intrínseco “livre” do corpo
- Salvar o espaço eliminando a mais baixa tenso série-paralela múltipla, abaixam dispositivos avaliados atuais
- Densidade de poder superior
- Operaço de alta frequência
- Baixas perdas da conduço
- A porta do MOS gerencie sobre para a simplicidade da movimentaço
- isolamento 4000V elétrico
- Baixas exigências da movimentaço da porta
APLICAÇÕES
- fontes do Interruptor-modo e da alimentaço do ressonante-modo
- Fontes de alimentaço ininterrupta (UPS)
- Geradores do laser
- Circuitos da descarga do capacitor
- Interruptores da C.A.
ESPECIFICAÇÕES
- tenso do coletor-emissor 3000V (VCES)
- tenso da coletor-porta 3000V (VCGR)
- tenso do porta-emissor de ±20V (VGES)
- corrente de coletor de ±38A em +25°C (IC25)
- corrente de escapamento de porta de ±100nA (IGES)
- corrente de coletor de ±14A em +110°C (IC110)
- tenso de saturaço do coletor-emissor 2.7V (VCE (se sentou))
- 10μs curto-circuito-suportam o tempo (tsc)
- dissipaço de poder do coletor 200W (PC)
- -55°C variaço da temperatura da junço de +150°C
DESIGNAÇÕES & DIAGRAMA ESQUEMÁTICO DO PIN
ESBOÇO DO PACOTE DE TO-263HV
ESBOÇO DO PACOTE DE TO-268HV
Montagem de superfície IXBT14N300HV do módulo 3000V 38A 200W do transistor de TO-268HV IGBT
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