Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
Number modelo:IXYK110N120A4
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.):1200 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx):375 A
Atual - coletor pulsado (Icm):900 A
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Shenzhen China
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IXYK110N120A4 IGBT pinta 1200 V 375 A W 1360 através do furo TO-264 (IXYK)
Trincheira 650V de IXYS a 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs
A trincheira 650V de IXYS a 1200V XPT™ GenX4™ IGBTs é desenvolvida usando uma tecnologia proprietária da fino-bolacha de XPT e um 4o processo avançado da trincheira IGBT da geraço (GenX4™). A característica bipolar destes transistor da isolar-porta reduziu a resistência térmica, as perdas de baixa energia, o interruptor rápido, a baixa corrente da cauda, e densidades atuais altas. Os dispositivos exibem a aspereza excepcional durante o interruptor e para procurar um caminho mais curto abaixo circunstncias.Este o através-furo IGBTs igualmente oferece a polarizaço reversa quadrada as áreas de funcionamento seguro (RBSOA) até a tenso de diviso de 1200V, fazendo o ideal para aplicações do duro-interruptor do retentor-menos. O ultra baixo-vsentou-seIGBT fornece até o interruptor 5kHz. A trincheira IGBTs da geraço de IXYS XPT 4o inclui um coeficiente de temperatura positivo da tenso do coletor--emissor. Isto permite que os desenhistas usem dispositivos múltiplos paralelamente para encontrar as exigências atuais altas e as baixas cargas da porta, que ajudam a reduzir exigências da movimentaço da porta e perdas de comutaço.
As aplicações típicas incluem carregadores de bateria, reatores da lmpada, movimentações do motor, inversores do poder, circuitos da correço de fator de poder (PFC), fontes de alimentaço do interruptor-modo, fontes de alimentaço ininterrupta (UPS), e máquinas de solda.
CARACTERÍSTICAS
- Tornado usando a tecnologia proprietária da fino-bolacha de XPT e processo da trincheira IGBT da geraço do último modelo o 4o (GenX4™)
- Baixas tensões do em-estado - VCE (se sentou)
- Até o interruptor 5kHz
- Coeficiente térmico positivo de VCE (se sentou)
- Aperfeiçoado para o interruptor de alta velocidade (até 60kHz)
- Procurar um caminho mais curto a capacidade (10µs)
- Quadrado RBSOA
- Diodos antiparalelos ultrarrápidos (Sonic-FRD™)
- capacidades do Duro-interruptor
- Densidades de poder superior
- Estabilidade de temperatura da tenso dianteira V do diodoF
- Baixas exigências da movimentaço da porta
- Pacotes de standard internacional
APLICAÇÕES
- Carregadores de bateria
- Reatores da lmpada
- Movimentações do motor
- Inversores do poder
- Circuitos de PFC
- fontes de alimentaço do Interruptor-modo
- UPS
- Máquinas de soldadura
ESPECIFICAÇÕES
- Terra comum
- 1200V VCES
- 20A IC110
- IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V VCE (se sentou)
- 160ns tfi (tipo)
- IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V VCE (se sentou)
- 90ns tfi (tipo)
- IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V VCE (se sentou)
- 58ns tfi (tipo)
Transistor de poder 1200V de IXYK110N120A4 IGBT 375A 1360W através do furo TO-264
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