O campo da trincheira do módulo de VS-GT90DA120U IGBT para a única
montagem SOT-227 de 1200 chassis de V 169 A 781 W
Módulos de poder dos semicondutores IGBT de Vishay
A tecnologia da pinta IGBT da trincheira da característica dos
módulos de poder dos semicondutores IGBT de Vishay e é alinhada
para máquinas de soldadura do TIG. Este IGBTs combina HEXFRED® e
tecnologia do diodo do ® de FRED Pt e encontra padrões do UL. A
característica de INT-A-PAK em algumas variações permite projetos
com exigências limitadas da altura que exigem tensões e correntes
altas. O pacote de EMIPAK-2B caracteriza os pinos PressFit e uma
carcaça exposta para o desempenho térmico melhorado. A disposiço
aperfeiçoada ajuda a minimizar parmetros dispersos, permitindo o
melhor desempenho do IEM. Os módulos de poder dos semicondutores
IGBT de Vishay so usados nas aplicações tais como movimentações do
motor do dispositivo, movimentações do motor do veículo elétrico,
inversores solares, fontes de alimentaço ininterrupta (UPS), e
conversores da correço de fator de poder.
CARACTERÍSTICAS
Tecnologia da pinta IGBT da trincheira
variações da tecnologia da parada da trincheira 1200V e de campo
Diodos antiparalelos de FRED Pt com recuperaço rápida
Tecnologia PressFit dos pinos
Diodo antiparalelo de HEXFRED com características reversas
ultrasoft da recuperaço
Carcaça Al2O3 exposta com baixa resistência térmica