Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo
Number modelo:WG50N65DHWQ
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.):650 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx):91 A
Atual - coletor pulsado (Icm):200 A
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Shenzhen China
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Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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Parada de campo 650 V da trincheira de WG50N65DHWQ IGBT 91 A 278 W através do furo TO-247-3
Semicondutores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn
Os semicondutores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn so uns 650V/50A de alta velocidade IGBT com um diodo antiparalelo em um pacote TO247. Este IGBT oferece de alta velocidade com baixas perdas do interruptor e as características alisam o comportamento de comutaço que evita a tenso ultrapassa e reduzem o sistema IEM. O WG50N65DHWQ IGBT caracteriza a tecnologia da campo-parada da porta da trincheira e oferece a baixa resistência térmica. Este IGBT vem em um pacote halogênio-livre, caracteriza um revestimento Pb-livre da ligaço, e é RoHS complacente. As aplicações típicas incluem a correço de fator de poder, conversor de solda, inversor solar. inversor industrial, e UPS.CARACTERÍSTICAS
- De alta velocidade com baixas perdas de comutaço
- Diodo antiparalelo da recuperaço rápida e macia
- V positivoCE (se sentou)coeficiente de temperatura
- Diodo antiparalelo da recuperaço rápida e macia
- Qualificou de acordo com JEDEC e cumpre a exigência da inflamabilidade UL94V0
- O comportamento de comutaço liso evita a tenso ultrapassa e reduz o sistema IEM
- pacote Halogênio-livre e revestimento Pb-livre da ligaço
- RoHS complacente
- Baixa resistência térmica
- Baixo VCE (se sentou)e baixas perdas de comutaço
- Tecnologia da campo-parada da porta da trincheira
ESPECIFICAÇÕES
- -55°C variaço da temperatura de funcionamento da junço 150°C
- tenso V do Coletor-emissor 650VCE
- corrente de coletor I da C.C. 50AC
APLICAÇÕES
- Correço de fator de poder
- Conversor de solda
- Inversor solar
- Inversor industrial
- UPS
DESENHO MECNICO
Módulo do transistor de WG50N65DHWQ IGBT, trincheira IGBT 650V 91A 278W da parada de campo
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