Lógica programável CI 209 de M2GL005-FGG484I 719872 6060 484-BGA

Number modelo:M2GL005-FGG484I
Quantidade de ordem mínima:50pcs
Capacidade da fonte:1000000 unidades
Número de Elementos Lógicos:6060 LE
Número de E/S:I/O 209
Tensão de alimentação - Mín.:1,14 V
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Shenzhen China
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Disposiço de porta programável do campo de M2GL005-FGG484I IGLOO2 (FPGA) IC 209 719872 6060 484-BGA

Disposições de porta Campo-programáveis da tecnologia IGLOO®2 do microchip (FPGAs)

As disposições de porta Campo-programáveis da tecnologia IGLOO®2 do microchip (FPGAs) so ideais para funções de uso geral tais como Gigabit Ethernet ou planos duplos do controle do PCI Express®, construindo uma ponte sobre funções, entrada/saída (I/O) expanso e converso, vídeo/processamento de imagens, administraço de sistemas, e conectividade segura. So usados nas aplicações para os mercados das comunicações, industriais, médicos, da defesa e da aviaço.

A arquitetura IGLOO2 oferece até a contagem da porta 3.6x executada com a tela da tabela de consulta de 4 entradas (LUT) com leva correntes, dando o desempenho 2x, e inclui opções e mathblocks encaixados múltiplos da memória para o tratamento dos sinais digital (DSP). De alta velocidade de série relaço incluem PCI para expressar (PCIe), 10 Gbps acessório unidade relaço sublayer prolongado) (de XAUI/XGMII (XGXS), mais a serializaço/comunicaço nativas do deserialization (SerDes), quando os dados dobro avaliarem 2 (DDR2) controladores da memória /DDR3 fornecem relações da memória de alta velocidade.

CARACTERÍSTICAS

  • FPGA de capacidade elevada
    • 4 a entrada eficiente LUTs com leva correntes para de capacidade elevada e a baixa potência
    • Até 236 blocos do duplo-porto 18KBit SRAM (grande SRAM) com desempenho 400MHz síncrono (512 x 36, 512 x 32, 1KBit x 18, 1KBit x 16, 2KBit x 9, 2KBit x 8, 4KBit x 4, 8KBit x 2, ou 16KBit x 1)
    • Até 240 blocos do três-porto 1KBit SRAM com 2 leem portos e 1 escreve o porto (micro SRAM)
    • DSP de capacidade elevada
      • Até 240 mathblocks rápidos com multiplicaço 18 x 18 multiplicaço assinada 17, x 17 sem assinatura e acumulador mordido 44
  • Relações de série de alta velocidade
  • Até 16 pistas de SerDes, cada um que apoia:
    • Extenso de XGXS/XAUI (para executar 10 uma relaço dos ethernet PHY dos Gbps (XGMII))
    • A relaço nativa de EPCS SerDes facilita a aplicaço do rapidIO de série na tela ou uma relaço de SGMII a um MAC macio dos ethernet
    • O PCI expressa o controlador do valor-limite (de PCIe)
    • núcleo expresso do PCI da pista x1, x2, e x4
    • Até o tamanho máximo da carga útil 2KBytes
  • Relações da memória de alta velocidade
    • Até 2 controladores de alta velocidade da memória de DDRx
      • HPMS RDA (MDDR) e controladores da RDA da tela (FDDR)
      • Apoios LPDDR/DDR2/DDR3
      • Taxa de pulso de disparo 333MHz máxima
      • SECDED permitem/característica da inutilizaço
      • Apoia os vários modos da largura do ônibus da GOLE, x8, x9, x16, x18, x32, e x36
      • Comando dos apoios que requisita novamente para aperfeiçoar a eficiência da memória
      • Dados que requisitam novamente, palavra crítica de retorno dos apoios primeiramente para cada comando
    • Apoio de SDRAM através de um controlador macio da memória de SDRAM
  • Subsistema de capacidade elevada da memória
    • 64KB encaixou SRAM (o eSRAM)
    • Até 512KB memória permanente encaixada (eNVM)
    • Um SPI/COMM_BLK
    • Ponte da RDA (2 ponte de proteço dos dados de porto R/W memória da RDA) com relaço 64-bit de AXI
    • No-obstruço, matriz do ônibus da multi-camada AHB permitindo o esquema do multi-mestre que apoia 5 mestres e 7 escravos
    • Duas relações de AHB/APB tela de FPGA (mestra/escravo capaz)
    • Dois controladores de acesso direto da memória para offload transações dos dados
      • acesso direto da memória periférico do 8-canal (PDMA) para transferência de dados entre periféricos de HPMS e memória
    • Acesso direto da memória de capacidade elevada (HPDMA) para transferência de dados entre o eSRAM e as memórias da RDA
  • Recursos cronometrando
    • Fontes do pulso de disparo
      • Elevada preciso 32 quilohertz ao oscilador 20MHz de cristal principal
      • 1MHz encaixou o oscilador de RC
      • 50MHz encaixou o oscilador de RC
    • Até 8 circuitos de acondicionamento do pulso de disparo (CCCs) com o PLLs análogo integrado até 8
      • Pulso de disparo da saída com 8 fases de saída e diferença de fase 45° (multiplique/partilha, e as capacidades do atraso)
    • Frequência: entrada 1MHz a 200MHz, saída 20MHz a 400MHz
  • Tenso de funcionamento e I/Os
    • tenso do núcleo 1.2V
    • usuário I/Os do Multi-padro (MSIO/MSIOD)
      • LVTTL/LVCMOS 3.0V (MSIO único)
      • LVCMOS 2.0V, 1.5V, 1.8V, e 2.5V
      • RDA (SSTL2_1and SSTL2_2)
      • Mini-LVDS, e de RSDS padrões diferenciais de LVDS, de MLVDS,
      • PCI
      • LVPECL (receptor único)
    • RDA I/Os (DDRIO)
      • RDA, DDR2, DDR3, LPDDR, SSTL2, SSTL18, e HSTL
      • LVCMOS 2.0V, 1.5V, 1.8V, e 2.5V
    • Número principal do mercado do usuário I/Os com 5G SerDes
  • Segurança
    • Características de segurança do projeto (disponíveis em todos os dispositivos)
      • Proteço da propriedade intelectual (IP) através das características de segurança originais e dos modelos do uso novos indústria de PLD
      • Chave do usuário e carga cifradas do bitstream, permitindo a programaço em lugar menos-confiados
      • Certificado do dispositivo da segurança da cadeia de aprovisionamento
      • Características aumentadas da anti-calcadeira
      • Zeroization
    • Características de segurança de dados (disponíveis em dispositivos superiores)
      • gerador mordido aleatório No-determinística (NRBG)
      • Serviços criptograficamente do usuário (AES-256, SHA-256, motor criptograficamente da curva elíptica (CCE))
      • Registro e regeneraço chaves fisicamente unclonable da funço do usuário (PUF)
      • CRI passagem-através da licença do portfólio da patente dos DPA
      • Guarda-fogos do hardware que protegem memórias do subsistema do microcontrolador (HPMS)
  • Confiança
    • Única virada do evento (SEU) imune
      • Pilhas zero da configuraço de FPGA da FIT
    • Temperatura de junço
      • 125 °C - temperatura militar
      • 100 °C - temperatura industrial
      • 85 °C - temperatura comercial
    • O erro dobro correto de único erro detecta a proteço (SECDED) no seguinte:
      • Memórias encaixadas (eSRAMs)
      • Amortecedor de PCIe
      • Controladores da memória da RDA com modos opcionais de SECDED
    • Amortecedores executados com as travas resistentes de SEU no seguinte:
      • Pontes da RDA (HPMS, MDDR, e FDDR)
      • SPI FIFO
      • Verificaço da integridade da MNV em de ligaço inicial e em por encomenda
      • Nenhuma memória externo da configuraço exigiu
      • Imediato-em, retém a configuraço quando posto fora
  • Baixa potência
    • Baixa estática e poder dinmico
      • Flash*Freeze (modo de F*F) para a tela
    • Poder to baixo como 13mW/Gbps pela pista para dispositivos de SerDes

APLICAÇÕES

  • Rádio
  • Cabo
  • Trabalhos em rede e controle industriais
  • A administraço de sistemas
  • Rádio seguro
  • Defesa e aviaço
 

DIAGRAMA DE BLOCO

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