Lista de distribuição original brandnew dos componentes eletrônicos BOM de E1116ACBG-6 E-E Packaging BGA disponível imediatamente

Number modelo:E1116ACBG-6E-E
Quantidade de ordem mínima:>=1pcs
Termos do pagamento:L/C, D/P, T/T, Western Union, , D/A
Capacidade da fonte:10000 acres/acre por Day+pcs+1-2days
Prazo de entrega:1-2 dias
Detalhes de empacotamento:Fita de rolo (TR) Banda de cisalhamento (CT)
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Dos Estados-activa
Hong kong China
Endereço: B5 liso 1/F., Manning Ind. Construção, 116-118 como Ming Street, Tong de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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DESCRIÇO DO PRODUTO


A número da peça E1116ACBG-6E-E é fabricada por ELPIDA e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.


Para obter mais informações sobre de E1116ACBG-6E-E detalhou especificações, cotações, prazos de execuço, termos do pagamento e mais, por favor no hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade E1116ACBG-6E-E a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.


PROPRIEDADES DO PRODUTO


Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
60 V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
380mA (Ta)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
370mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3
Pacote/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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