FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado

Number modelo:FDB2614
Quantidade de ordem mínima:>=1pcs
Capacidade da fonte:30000 acres/acres por Day+pcs+2-3days
Prazo de entrega:2-3Days
Detalhes de empacotamento:Fita de rolo (TR) Banda de cisalhamento (CT)
Lugar de origem:China
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Dos Estados-activa
Hong kong China
Endereço: B5 liso 1/F., Manning Ind. Construção, 116-118 como Ming Street, Tong de Kwun, Kowloon, Hong Kong
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado


DESCRIÇO DO PRODUTO


A número da peça FDB2614 é fabricada por FAIRCHILD e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.


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PROPRIEDADES DO PRODUTO


Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
200 V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
62A (Tc)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
7230 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
² PAK DE D (TO-263)
Pacote/caso
TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Número baixo do produto
FDB261

China FDB2614 TO-263 microplaqueta nova e original de MOS Field Effect Transistor Brand do circuito integrado supplier

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