Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

Number modelo:2N7002K-7
Quantidade de ordem mínima:>=1pcs
Capacidade da fonte:100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Prazo de entrega:2-3Days
Detalhes de empacotamento:A fábrica original selou a embalagem com tipos padrão: tubo, bandeja, fita e carretel, caixa, embala
Lugar de origem:China
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Dos Estados-activa
Hong kong China
Endereço: B5 liso 1/F., Manning Ind. Construção, 116-118 como Ming Street, Tong de Kwun, Kowloon, Hong Kong
Fornecedor do último login vezes: No 48 Horas
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Microplaqueta brandnew e original do FET, do MOSFET do semicondutor discreto de 2N7002K-7 SOT23 única do circuito integrado


DESCRIÇO DO PRODUTO


A número da peça 2N7002K-7 é fabricada por DIODOS e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.


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PROPRIEDADES DO PRODUTO


Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene tenso da fonte (Vdss)
60 V
Atual - dreno contínuo (identificaço) @ 25°C
380mA (Ta)
Tenso da movimentaço (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificaço, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identificaço de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade da entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipaço de poder (máxima)
370mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3
Pacote/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número baixo do produto
2N7002

China Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único supplier

Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

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