H11F3SM IC eletrônico Chips Transistor IC Chip Electronics Rectifier Diode

Diodo de retificador componente da eletrônica de IC da microplaqueta do transistor de H11F3SM Electrnocs
H11F1M, H11F2M, acopladores óticos do FET de H11F3M Photo

Características
Como um resistor variável remoto:
■≤ 100Ω ao ≥ 300MΩ
■capacidade da derivaço do ≤ 15pF
■Resistência do isolamento do I/O do ≥ 100GΩ como um interruptor análogo:
■Extremamente - baixa tenso deslocada
■capacidade do sinal 60 Vpk-PK
■Nenhuma injeço ou trava-acima da carga
■O UL reconheceu (arquivo #E90700)

Aplicações
Como um resistor variável remoto:
■Atenuador variável isolado
■Controle automático de ganho
■Ajustar-se ativo do filtro/faixa que comuta como um interruptor análogo:
■Circuito de amostra isolado e de posse
■Converso multiplexada, opticamente isolada do A/D

Descriço geral

A série de H11FXM consiste em um gálio-AluminumArsenide IRED que emite-se o diodo acoplado a um fotodetector bilateral simétrico do silicone.

O detector é isolado eletricamente da entrada e executa como um FET isolado ideal projetado para o controle distorço-livre de sinais análogos de baixo nível da C.A. e da C.C.

Os dispositivos da série de H11FXM so montados in-line em pacotes duplos.


AVALIAÇÕES MÁXIMAS ABSOLUTAS (1)

Dimensões do pacote
unidade: milímetro 2120

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