Disparador de NAND Schmitt da entrada do quadrilátero 2 dos componentes da eletrônica de HEF4093B

Disparador de NAND Schmitt da entrada do quadrilátero 2 dos componentes da eletrônica de HEF4093B

1. Descriço geral

O HEF4093B é uma porta de NAND da dois-entrada do quadrilátero. Cada entrada tem um circuito de disparador de Schmitt. A porta comuta em pontos diferentes para sinais positivo-indo e negativo-indo. A diferença entre a tenso positiva (VT+) e a tenso negativa ( do VT) é definida como a tenso da histerese (VH). Opera-se sobre uma escala recomendada da fonte de alimentaço de VDD de 3 V a 15 V providos ao VSS (geralmente terra). As entradas no utilizadas devem ser conectadas a VDD, a VSS, ou a uma outra entrada.

2. Características e benefícios

Discriminaço da entrada de disparador de Schmitt

Operaço inteiramente estática

5 V, 10 V, e 15 avaliações paramétricas de V

Características de saída simétricas estandardizadas

Especificado de -40°C ao °C +85 e de -40°C a +125°C

Cumpre com o JEDEC JESD padro 13-B

3. Aplicações

Shapers da onda e de pulso

Multivibrador Astable

Multivibrador Monostable

4. Informaço pedindo

Informaço que pedindo da tabela 1. todos os tipos se operam de -40°C a +125°C

5. Diagrama funcional

6. Fixando a informaço

6,1 fixar

6,2 descriço do Pin

Descriço do Pin da tabela 2.

Símbolo Pin Descriço

1 4A 1, 5, 8, 12 entrada

1B a 4B 2, 6, 9, 13 entrada

1Y a 4Y 3, 4, 10, 11 saída

VDD 14 tenso de fonte

VSS 7 terra (0 V)

7. Descriço funcional

Tabela de funço da tabela 3.

Entrada Saída

nA N.B. nY

L L H

L H H

H L H

H H L

8. Valores de limitaço

Valores de limitaço da tabela 4.

De acordo com o sistema de avaliaço máxima absoluta (IEC 60134). As tensões so providas a VSS = 0 V (terra).

Símbolo Parmetro Circunstncias Minuto Máximo Unidade

VDD tenso de fonte -0,5 +18 V

IK entrada que aperta a corrente VI <> VDD + 0,5 V - ± 10 miliampère

VI tenso de entrada -0,5 VDD + 0,5 V

IOK saída que aperta a corrente VO <> VDD + 0,5 V - ±10 miliampère

II/O entrada/saída atual - ±10 miliampère

IDD fonte atual - 50 miliampère

Tstg temperatura de armazenamento -65 +150 °C

Tamb temperatura ambiental -40 +125 °C

Ptot dissipaço de poder total °C de Tamb= -40 ao °C +125

DIP14 [1] - 750 mW

SO14 [2] - 500 mW

P dissipaço de poder pela saída - 100 mW

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