Fonte da precisão dupla dos amplificadores da precisão de IC do amplificador de potência audio de TLC277IDR única

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Detalhes de empacotamento:SOP8
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Shenzhen China
Endereço: Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Fonte da preciso dupla dos amplificadores da preciso de IC do amplificador de potência audio de TLC277IDR única


Descriço (continuada)

Ta

VIOmax no°C 25

DISPOSITIVOS EMPACOTADOS

FORMULÁRIO DA MICROPLAQUETA (Y)

ESBOÇO PEQUENO (D)

PORTADOR DE MICROPLAQUETA (FK)

MERGULHO CERMICO (JG)

MERGULHO PLÁSTICO (P)

TSSOP (PICOWATT)

0°C a 70°c

500 μV 2 milivolt 5 milivolt 10mV

TLC277CD TLC272BCD TLC272ACD TLC272CD

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TLC277CP TLC272BCP TLC272ACP TLC272CP



— TLC272CPW



— TLC272Y

– 40°C a 85°C

500 μV 2 milivolt 5 milivolt 10 milivolt

TLC277ID TLC272BID TLC272AID TLC272ID

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TLC277IP TLC272BIP TLC272AIP TLC272IP

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O pacote de D é gravada disponível e bobinado. Adicione o sufixo de R ao tipo de dispositivo (por exemplo, TLC277CDR).

Geralmente, muitas características associadas com a tecnologia bipolar esto disponíveis em amplificadores operacionais do  de LinCMOS sem as penas do poder da tecnologia bipolar. As aplicações gerais tais como o conexo do transdutor, cálculos análogos, blocos do amplificador, filtros ativos, e proteço do sinal so projetadas facilmente com o TLC272 e o TLC277. Os dispositivos igualmente exibem a operaço da único-fonte da baixa tenso, fazendo os serida idealmente para aplicações a pilhas remotas e inacessíveis. A escala de tenso de entrada do comum-modo inclui o trilho negativo.

Uma vasta gama de opções de empacotamento está disponível, incluindo versões do pequeno-esboço e do portador de microplaqueta para aplicações de sistema do alto densidade.

As entradas e as saídas do dispositivo so projetadas suportar – correntes de impulso 100-mA sem trava-acima de sustentaço.

Os TLC272 e os TLC277 incorporam os circuitos internos que impedem falhas funcionais em tensões até 2000 V testados to sob MIL-STD-883C, método 3015,2 da ESD-proteço; contudo, o cuidado deve ser exercitado em segurar estes dispositivos como a exposiço ao ESD pode conduzir degradaço do desempenho paramétrico do dispositivo.

Os dispositivos do C-sufixo so caracterizados para a operaço de 0°C a 70°C. Os dispositivos do Eu-sufixo so caracterizados para a operaço – de 40°C a 85°C. Os dispositivos do M-sufixo so caracterizados para a operaço sobre a variaço da temperatura militar completa – de 55°C a 125°C.

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