Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
Number modelo:2N7002LT1G
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Detalhes de empacotamento:SOT23-3
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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N-canal do MOSFET 60V 115mA do transistor de poder do Mosfet 2N7002LT1G
Características
• prefixo 2V para aplicações automotivos e outras que exigem exigências originais da mudança do local e de controle; AEC−Q101 qualificou e PPAP capaz (2V7002L)
• Estes dispositivos so Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e so RoHS complacente
AVALIAÇÕES MÁXIMAS
Avaliaço | Símbolo | Valor | Unidade |
Tenso de Drain−Source | VDSS | 60 | VDC |
Tenso de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW) | VDGR | 60 | VDC |
Drene atual | Identificaço IDENTIFICAÇO IDM | ± 800 do ± 75 do ± 115 | mAdc |
Tenso de Gate−Source | VGS VGSM | ± 40 do ± 20 | VDC Vpk |
CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
Característica | Símbolo | Máximo | Unidade |
Placa total da dissipaço FR−5 do dispositivo (nota 3) Ta = 25°C Resistência térmica, Junction−to−Ambient | Paládio RqJA | 225 1,8 556 | mW mW/°C °C/W |
Dissipaço total do dispositivo Resistência térmica, Junction−to−Ambient | Paládio RqJA | 300 2,4 417 | mW mW/°C °C/W |
Temperatura da junço e de armazenamento | TJ, Tstg | − 55 +150 | °C |
Transistor do Mosfet do canal de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor
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