MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet do nível da lógica de CSD18534Q5A
Number modelo:CSD18534Q5A
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Capacidade da fonte:50000 partes pelo dia
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Detalhes de empacotamento:VSONP8
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Dos Estados-activa
Shenzhen China
Endereço:
Sala 1204, construção internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet de CSD18534Q5A
Características 1
- Ultra-baixos Qg e Qgd
Baixa resistência térmica
Avalancha avaliada
Nível da lógica
Chapeamento terminal livre do Pb
RoHS complacente
Halogênio livre
FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros
2 aplicações
Converso de DC-DC
Retificador síncrono lateral secundário
Interruptor lateral preliminar isolado do conversor
Controlo do motor
Descriço 3
Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET do poder do milímetro NexFETTM do × 6 do FILHO 5 so projetados minimizar perdas em aplicações da converso de poder.
Sumário do produto
Ta = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDADE | ||
VDS | tenso da Dreno--fonte | 60 | V | |
Qg | Total da carga da porta (10 V) | 17 | nC | |
Qgd | Porta--dreno da carga da porta | 3,5 | nC | |
RDS (sobre) | em-resistência da Dreno--fonte | VGS = 4,5 V | 9,9 | mΩ |
VGS =10V | 7,8 | mΩ | ||
VGS (th) | Tenso do ponto inicial | 1,9 | V | |
Informaço pedindo
DISPOSITIVO | QTY | MEIOS | PACOTE | NAVIO |
CSD18534Q5A | 2500 | carretel 13-Inch | FILHO 5 milímetros de × pacote plástico de 6 milímetros | Fita e carretel |
CSD18534Q5AT | 250 | carretel 7-Inch |
Avaliações máximas absolutas
Ta = 25°C | VALOR | UNIDADE | |
VDS | tenso da Dreno--fonte | 60 | V |
VGS | tenso da Porta--fonte | ±20 | V |
Identificaço | Corrente contínua do dreno (pacote limitado) | 50 | |
Corrente contínua do dreno (silicone limitado), TC = 25°C | 69 | ||
Corrente contínua do dreno, Ta = 25°C (1) | 13 | ||
IDM | Corrente pulsada do dreno, Ta = 25°C (2) | 229 | |
Paládio | Dissipaço de poder (1) | 3,1 | W |
Dissipaço de poder, TC = 25°C | 77 | ||
TJ, Tstg | Junço de funcionamento, temperatura de armazenamento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energia da avalancha, única identificaço =40A do pulso, L=0.1mH, RG =25Ω | 80 | mJ |
MOSFET do MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr do transistor de poder do Mosfet do nível da lógica de CSD18534Q5A
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